太阳能电池片的分类

国内常用的太阳能晶硅电池片根据尺寸和单多晶可分为：

太阳能单晶电池片 单晶125*125 单晶156*156 多晶156*156 单晶150*150 单晶103*103 多晶125*125

编辑本段太阳能电池片的技术参数 125S晶体硅太阳电池技术参数 档次

转换效

最大功率

率

A B C D E F G H I J K L M N O P 18.00% 17.80% 17.60% 17.45% 17.30% 17.15% 17.00% 16.85% 16.70% 16.50% 16.25% 16.00% 15.75% 15.50% 15.25% 15.00%

最大功

最大功率最小功率短路电开路电

率点电

点电流 点电流 流 压

压

Pm(Wp) Im(A)max Im(A)min Vm(V) Isc(A) Voc(V) 2.674-2.696 5.135 5.093 0.525 5.440 0.630 2.645-2.673 5.111 5.057 0.523 5.410 0.628 2.615-2.644 5.075 5.019 0.521 5.380 0.627 2.593-2.614 5.027 4.987 0.520 5.350 0.627 2.570-2.592 5.004 4.961 0.518 5.330 0.626 2.548-2.569 4.988 4.948 0.515 5.320 0.620 2.526-2.547 4.975 4.933 0.512 5.300 0.620 2.504-2.525 4.949 4.910 0.510 5.280 0.615 2.481-2.503 4.956 4.913 0.505 5.260 0.615 2.452-2.480 4.911 4.850 0.505 5.240 0.615 2.414-2.451 4.853 4.780 0.505 5.200 0.615 2.377-2.413 4.778 4.707 0.505 5.160 0.610 2.340-2.376 4.752 4.680 0.500 5.000 0.610 2.303-2.339 4.678 4.606 0.500 4.980 0.605 2.266-2.302 4.604 4.578 0.495 4.960 0.605 2.229-2.265 4.576 4.503 0.495 4.940 0.600

SF156M多晶体硅太阳电池技术参数 档次 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W

最大功

转换效最大功最大功率

率点电

率 率 点电压

流

Pm(Wp) Im(A) Vm(mV) 17.50% 4.258 8.189 520 17.25% 4.198 8.072 520 17.00% 4.137 7.955 520 16.75% 4.076 7.914 515 16.50% 4.015 7.796 515 16.25% 3.954 7.678 515 16.00% 3.893 7.560 515 15.75% 3.833 7.515 510 15.50% 3.772 7.396 510 15.25% 3.711 7.348 505 15.00% 3.650 7.228 505 14.75% 3.589 7.107 505 14.50% 3.528 6.987 505 14.25% 3.468 6.935 500 14.00% 3.407 6.814 500 13.50% 3.285 6.637 495 13.00% 3.163 6.456 490 12.50% 3.042 6.272 485 12.00% 2.920 6.084 480 11.50% 2.798 5.891 475 11.00% 2.677 5.695 470 10.50% 2.555 5.495 465 <10.5%

短路电流 开路电压 Isc(A) Voc(mV)

9.30±5% 625±5% 9.22±5% 625±5% 9.11±5% 625±5% 9.01±5% 620±5% 8.89±5% 620±5% 8.78±5% 620±5% 8.67±5% 620±5% 8.56±5% 615±5% 8.45±5% 615±5% 8.30±5% 615±5% 8.16±5% 615±5% 8.01±5% 615±5% 7.87±5% 615±5% 7.75±5% 610±5% 7.61±5% 610±5% 7.38±5% 610±5% 7.12±5% 610±5% 7.86±5% 610±5% 6.56±5% 605±5% 6.34±5% 600±5% 6.08±5% 590±5% 5.82±5% 580±5%

编辑本段太阳能电池片及相关组件的相关性 125*125单晶

电池片

晶体硅太阳电池的优良性能简介： ·高效率，低衰减，可靠性强； ·先进的扩散技术，保证了片间片内的良好均匀性，降低了电池片之间的匹配损失；

·运用先进的管式PECVD成膜技术，使得覆盖在电池表面的深蓝色氮化硅减反射膜致密、均匀、美观；

·应用高品质的金属浆料制作电极和背场。确保了电极良好的导电性、可焊性以及背场的平整性；

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太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换，而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的专用设备。管式扩散炉主要由石英舟的上下载部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。扩散一般用三氯氧磷液态源作为扩散源。把P型硅片放在管式扩散炉的石英容器内，在850---900摄氏度高温下使用氮气将三氯氧磷带入石英容器，通过三氯氧磷和硅片进行反应，得到磷原子。经过一定时间，磷原子从四周进入硅片的表面层，并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散，形成了N型半导体和P型半导体的交界面，也就是PN结。这种方法制出的PN结均匀性好,方块电阻的不均匀性小于百分之十,少子寿命可大于10ms。制造PN结是太阳电池生产最基本也是最关键的工序。因为正是PN结的形成，才使电子和空穴在流动后不再回到原处，这样就形成了电流，用导线将电流引出，就是直流电。 四、去磷硅玻璃

该工艺用于太阳能电池片生产制造过程中，通过化学腐蚀法也即把硅片放在氢氟酸溶液中浸泡，使其产生化学反应生成可溶性的络和物六氟硅酸，以去除扩散制结后在硅片表面形成的一层磷硅玻璃。在扩散过程中，POCL3与O2反应生成P2O5淀积在硅片表面。P2O5与Si反应又生成SiO2和磷原子，

这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2，称之为磷硅玻璃。去磷硅玻璃的设备一般由本体、清洗槽、伺服驱动系统、机械臂、电气控制系统和自动配酸系统等部分组成，主要动力源有氢氟酸、氮气、压缩空气、纯水，热排风和废水。氢氟酸能够溶解二氧化硅是因为氢氟酸与二氧化硅反应生成易挥发的四氟化硅气体。若氢氟酸过量，反应生成的四氟化硅会进一步与氢氟酸反应生成可溶性的络和物六氟硅酸。 五、等离子刻蚀 由于在扩散过程中，即使采用背靠背扩散，硅片的所有表面包括边缘都将不可避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面，而造成短路。因此，必须对太阳能电池周边的掺杂硅进行刻蚀，以去除电池边缘的PN结。通常采用等离子刻蚀技术完成这一工艺。等离子刻蚀是在低压状态下，反应气体CF4的母体分子在射频功率的激发下，产生电离并形成等离子体。等离子体是由带电的电子和离子组成，反应腔体中的气体在电子的撞击下，除了转变成离子外，还能吸收能量并形成大量的活性基团。活性反应基团由于扩散或者在电场作用下到达SiO2表面，在那里与被刻蚀材料表面发生化学反应，并形成挥发性的反应生成物脱离被刻蚀物质表面，被真空系统抽出腔体。 六、镀减反射膜

抛光硅表面的反射率为35%,为了减少表面反射,提高电池的转换效率,需要沉积一层氮化硅减反射膜。现在工业生产中常采用PECVD设备制备减反射膜。PECVD即等离子增强型化学气相沉积。它的技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体SiH4和NH3，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜即氮化硅薄膜。一般情况下，使用这种等离子增强型化学气相沉积的方法沉积的薄膜厚度在70nm左右。这样厚度的薄膜具有光学的功能性。利用薄膜干涉原理，可以使光的反射大为减少，电池的短路电流和输出就有很大增加，效率也有相当的提高。 七、丝网印刷

太阳电池经过制绒、扩散及PECVD等工序后，已经制成PN结，可以在光照下产生电流，为了将产生的电流导出，需要在电池表面上制作正、负两个电极。制造电极的方法很多，而丝网印刷是目前制作太阳电池电极最普遍的一种生产工艺。丝网印刷是采用压印的方式将预定的图形印刷在基板上，该设备由电池背面银铝浆印刷、电池背面铝浆印刷和电池正面银浆印刷三部分组成。其工作原理为：利用丝网图形部分网孔透过浆料，用刮刀在丝网的浆料部位施加一定压力，同时朝丝网另一端移动。油墨在移动中被刮刀从图形部分的网孔中挤压到基片上。由于浆料的粘性作用使印迹固着在一定范围内，印刷中刮板始终与丝网印版和基片呈线性接触，接触线随刮刀移动而移动，从而完成印刷行程。 八、快速烧结

经过丝网印刷后的硅片，不能直接使用，需经烧结炉快速烧结，将有机树脂粘合剂燃烧掉，剩下几乎纯粹的、由于玻璃质作用而密合在硅片上的银电极。当银电极和晶体硅在温度达到共晶温度时，晶体硅原子以一定的比例融入到熔融的银电极材料中去，从而形成上下电极的欧姆接触，提高电池片的开路电压和填充因子两个关键参数，使其具有电阻特性，以提高电池片的转换效率。

烧结炉分为预烧结、烧结、降温冷却三个阶段。预烧结阶段目的是使浆料中的高分子粘合剂分解、燃烧掉，此阶段温度慢慢上升;烧结阶段中烧结体内完成各种